特許

J-GLOBAL ID：200903069323844882

半導体の検査方法及び半導体の検査装置

発明者： 大坊 真洋
出願人/特許権者： 岩手県
代理人 (1件)： 丸岡 裕作
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-397801
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197700
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】 半導体の特性を汚染の原因となる金属電極を半導体に一切接触させること無く測定でき、又測定のための前処理を不要とした半導体の検査方法及び半導体の検査装置を提供すること。【解決手段】 2以上の異なる波長の光を試料である半導体(S)に照射する光源(12,13)と、前記光源が試料に照射した光の強度を測定する光センサ(20)と、スクイドで構成される磁気センサ(30)とを備え、光源から試料に光を照射することによって発生する光電流に起因する磁束密度の変化を前記磁気センサで検出する半導体の検査方法であって、前記異なる波長の光の強度と、それぞれの光照射の波長の光において発生した磁束密度とを測定し、異なる波長の光照射による磁束密度の検出値から半導体の特性を検査する。

請求項（抜粋）：

2以上の異なる波長の光を試料である半導体に照射する光源と、前記光源が試料に照射した光の強度を測定する光センサと、スクイドで構成される磁気センサとを備え、光源から試料に光を照射することによって発生する光電流に起因する磁束密度の変化を前記磁気センサで検出する半導体の検査方法であって、前記異なる波長の光の強度と、それぞれの光照射の波長の光において発生した磁束密度とを測定し、異なる波長の光照射による磁束密度の検出値から半導体の特性を検査することを特徴とする半導体の検査方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  H01L 39/22 ZAA

FI (4件)：

H01L 21/66 M ,  H01L 21/66 C ,  H01L 21/66 X ,  H01L 39/22 ZAA D

Fターム (8件)：

4M106AA01 ,  4M106BA04 ,  4M106BA05 ,  4M106BA20 ,  4M106CA28 ,  4M113AC08 ,  4M113AD21 ,  4M113AD44

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 走査型スクイド顕微鏡
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-222958   出願人：岩手県, 株式会社アオバサイエンス
• 特開平3-278442
  
• 特開平3-278442