特許
J-GLOBAL ID:200903069331663560

電圧制御発振器と集積バイアス回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 宮田 金雄 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-143046
公開番号(公開出願番号):特開平8-335828
出願日: 1995年06月09日
公開日(公表日): 1996年12月17日
要約:
【要約】【目的】 発振周波数による位相雑音変化が少なくかつ広帯域に同調できる特性と小型化を実現する。【構成】 バラクタダイオード2と直列インダクタ3から成る直列共振回路と所望発振周波数でインピーダンス反転をするインピーダンス変成器4とから同調回路を構成し、電界効果トランジスタ1と帰還インダクタ5とから負性抵抗増幅回路を構成し、負荷抵抗7に出力する発振電力の一部をキャパシタ6で入力側に帰還する。インピーダンス変成器4(インピーダンス変成比n)は、バラクタダイオード2の接合容量(Cj )と等価直列抵抗(Rs )をインピーダンス反転しインダクタンス(Cj /n2 )とコンダクタンス(n2 Rs )の並列回路に、また直列インダクタンス(Ls )をインピーダンス反転し並列キャパシタンス(n2Ls )に変換する。
請求項(抜粋):
半導体発振素子と可変容量素子を備える電圧制御発振器において、前記可変容量素子とインダクタから成る直列共振回路と所望発振周波数でインピーダンス反転をするインピーダンス変成器とから構成する同調回路を設けることを特徴とする電圧制御発振器。
IPC (3件):
H03B 5/08 ,  H01P 1/00 ,  H03B 5/18
FI (3件):
H03B 5/08 A ,  H01P 1/00 Z ,  H03B 5/18 C
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (1件)

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