特許

J-GLOBAL ID：200903069333080015

固体撮像素子およびその製造方法

発明者： 奥野 丈晴
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-338448
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156279
出願日： 1999年11月29日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 第1の絶縁膜と第2の絶縁膜との層間に、光学的な特性を有する第3の絶縁膜を設けて、従来の、光の反射が起こる界面の形成を抑制して、第2の絶縁膜の膜厚バラ付きに起因する透過光の分光強度の不均一を抑制した固体撮像素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板に複数の光電変換素子を形成し、該光電変換素子上に、第1の絶縁膜と該絶縁膜とは光の屈折率が異なる第2の絶縁膜とを備えている固体撮像素子において、第1の絶縁膜と第2の絶縁膜の層間に第3の絶縁膜を設けると共に、第3の絶縁膜は、その屈折率が、第1の絶縁膜の屈折率から第2の絶縁膜の屈折率へと連続的に変化する領域を具備していることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板に複数の光電変換素子を形成し、該光電変換素子上に、第1の絶縁膜と該絶縁膜とは光の屈折率が異なる第2の絶縁膜とを備えている固体撮像素子において、第1の絶縁膜と第2の絶縁膜の層間に第3の絶縁膜を設けると共に、第3の絶縁膜は、その屈折率が、第1の絶縁膜の屈折率から第2の絶縁膜の屈折率へと連続的に変化する領域を具備していることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (4件)：

H01L 27/146 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H04N 5/335

FI (6件)：

H01L 21/316 A ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/318 C ,  H01L 21/318 M ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 A

Fターム (25件)：

4M118AA06 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA33 ,  4M118CA34 ,  4M118CB13 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118GC03 ,  5C024CA14 ,  5C024CA31 ,  5C024FA01 ,  5C024GA13 ,  5C024GA53 ,  5F058BA20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ01