特許

J-GLOBAL ID：200903069334351365

半導体発光素子

発明者： 西谷 克彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-309238
公開番号（公開出願番号）：特開平7-162037
出願日： 1993年12月09日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 デバイス特性を悪化させることなく容易に光り取り出し面を粗い状態にして光の取り出し効率を向上させた半導体発光素子を提供することである。【構成】 GaAs基板1上に少なくともInGaAlP系からなるクラッド層4,6及び活性層5とGaAlAs系またはInGaAlP系からなる電流拡散層7とが順次形成され、前記活性層から発光された光を外部に取り出す光取り出し面が光の散乱を生ずる粗い状態の光散乱面として形成された半導体発光素子において、前記光散乱面8は、前記電流拡散層7の成長時にIII 族及びV族の原料比を低下させて形成する。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に少なくともInGaAlP系からなるクラッド層及び活性層とGaAlAs系またはInGaAlP系からなる電流拡散層とが順次形成され、前記活性層から発光された光を外部に取り出す光取り出し面が光の散乱を生ずる粗い状態の光散乱面として形成された半導体発光素子において、前記光散乱面は、前記電流拡散層の成長時にIII 族及びV族の原料比を低下させて形成したことを特徴とする半導体発光素子。