特許

J-GLOBAL ID：200903069334663863

半導体装置の製造方法

発明者： 津田 宣之
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-197760
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026572
出願日： 1997年07月08日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】 素子分離領域端において素子分離用酸化膜が素子分離用の溝の側面にまで後退しないトレンチ分離構造を形成できるようにする。【解決手段】 半導体基板1上に第1のシリコン酸化膜2とシリコン窒化膜3とを順に積層し、次に、このシリコン窒化膜3を所定のパターンに微細加工を施してシリコン窒化膜3のマスクを形成し、次に前記半導体基板1を熱酸化して第2のシリコン酸化膜4を選択的に形成し、次にシリコン窒化膜3をマスクとして第2のシリコン酸化膜4を選択的にエッチングし、次に、シリコン窒化膜3をマスクとして半導体基板1に素子分離領域用の溝DTを形成し、次に、溝DTの側面を熱酸化して第3のシリコン酸化膜5を形成し、次に、溝DT上に第4のシリコン酸化膜6を堆積した後、化学機械的研磨法を用いてシリコン窒化膜3が露出するまで第4のシリコン酸化膜6を平坦化した後、シリコン窒化膜3、第1のシリコン酸化膜2を除去する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、第一の酸化膜および前記第一の酸化膜とは異なるマスク膜を順次形成する第一の工程と、前記第一の酸化膜が部分的に露出するように前記マスク膜をエッチング加工する第二の工程と、前記第二の工程後、前記第一の酸化膜が露出した部分の半導体基板上に第二の酸化膜を形成する第三の工程と、前記マスク膜をマスクにして、前記第二の酸化膜をエッチング除去する第四の工程と、前記第四の工程後、前記マスク膜をマスクにして、前記半導体基板に溝を形成する第五の工程と、前記溝が形成された前記半導体基板表面に熱酸化膜を形成する第六の工程と、前記第六の工程後、前記半導体基板上に、少なくとも前記溝が埋るように第三の酸化膜を形成する第七の工程と、前記マスク膜が露出するまで前記第三の酸化膜を除去する第八の工程と、前記第八の工程後、前記マスク膜を除去する第九の工程と、前記第九の工程後、前記第一の酸化膜を除去する第十の工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (7件)：

H01L 21/76 L ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/306 M ,  H01L 21/76 M