特許
J-GLOBAL ID：200903069338667677
パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-007674
公開番号（公開出願番号）：特開平5-197160
出願日： 1992年01月20日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】 ハーフトーン位相シフト法を用いた場合においても、レジストパターン中央部の膜減を抑制することができ、良好なレジストパターンを形成することのできるパターン形成方法を提供すること。【構成】 透光性基板(SiO2 )20上に、透過光に対して光学的な位相差を与える半透明材料(Si)からなるマスクパターン21を形成した露光用マスクを用いて、Si基板22に形成された感光性樹脂膜23に対し露光・現像を行い所望のパターンを作成するパターン形成方法において、感光性樹脂膜23としてポジ型レジストを用い、露光前にレジスト23をTAMAHの2.38%現像液中に30秒晒し、水洗の後スピン乾燥を行い、表面不溶化膜24を形成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
透光性基板上に、透過光に対して光学的な位相差を与える半透明材料からなるマスクパターンを形成した露光用マスクを用いて、半導体基板上に形成された感光性樹脂膜に対し露光・現像を行い所望のパターンを作成するパターン形成方法において、前記感光性樹脂膜としてポジ型レジストを用い、このレジストの現像前に、該レジストの表面に対し硬化処理を行うことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (4件)：
G03F 7/38 511
, G03F 1/08
, G03F 7/20 521
, H01L 21/027
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
, H01L 21/30 341 S
, H01L 21/30 361 F
