特許

J-GLOBAL ID：200903069341610279

半導体装置及びその製造方法

発明者： 谷内 正治
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 柳瀬 睦肇 ,  宇都宮 正明 ,  渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-035897
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247522
出願日： 2003年02月14日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】パッド構造に対して総合的に高信頼性のボンド・リフト対策を講じた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】図示しない半導体集積回路内部の導電領域と接続されるパッド構造は、層間絶縁膜10上に形成される。層間絶縁膜10上に配線層の接続領域11が形成されている。この接続領域11上に柱状導電部材12が所定数配されている。最上層のパッドとなる電極部材14は、層間絶縁膜13の除去された領域においてこの柱状導電部材12を覆い、かつ接続領域11と接触した形態をとっている。電極部材14上の周辺には保護膜15が形成されている。電極部材14の露出面はパッド開口面であり、柱状導電部材12の存在を反映した凹凸面を有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体集積回路における絶縁膜上に設けられた配線層の接続領域と、 前記接続領域に所定数配された柱状導電部材と、 前記柱状導電部材を覆いかつ前記接続領域と接触する電極部材と、 前記電極部材上の周辺の保護膜と、 を具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/60 ,  H01L21/3205

FI (2件)：

H01L21/60 301P ,  H01L21/88 T

Fターム (32件)：

5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033KK09 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM26 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN15 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033VV07 ,  5F033XX01 ,  5F033XX12 ,  5F044EE06 ,  5F044EE13 ,  5F044EE21