特許

J-GLOBAL ID：200903069346124020

エッチングされた低誘電率材料の孔を封じるための誘電体形成

発明者： ベッサー,ポール・アール ,  スリカンテワラ,ダクシナ-マーシー ,  マーティン,ジェレミー・アイ ,  スミス,ジョナサン・ビィ ,  アペルグレン,エリック・エム
出願人/特許権者： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-553580
公開番号（公開出願番号）：特表2003-520448
出願日： 2000年09月20日
公開日（公表日）： 2003年07月02日
要約：

【要約】構造層(110)上に第1の誘電体層(130)を形成するステップと、第1の誘電体層(130)内に第1の開口(220)を形成するステップとを含む方法であって、第1の開口(220)は側壁を有する。この方法は、第1の開口(220)の側壁上に第2の誘電体層(430)を形成するステップをさらに含む。

請求項（抜粋）：

構造層(100)上に第1の誘電体層(130)を形成するステップと、 前記第1の誘電体層(130)内に第1の開口(220)を形成するステップとを含み、前記第1の開口(220)は側壁(230)を有し、さらに、 前記第1の開口(220)の前記側壁(230)上に第2の誘電体層(430)を形成するステップを含む、方法。

Fターム (53件)：

5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH23 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ23 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK07 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK23 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN05 ,  5F033NN06 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR07 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR29 ,  5F033SS07 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT07 ,  5F033TT08 ,  5F033XX01 ,  5F033XX02 ,  5F033XX24