特許

J-GLOBAL ID：200903069349443169

半導体装置

発明者： 奥富 功 ,  草野 貴史 ,  山本 敦史 ,  西村 隆宣 ,  石渡 裕 ,  田中 明 ,  福吉 寛 ,  荒木 浩二
出願人/特許権者： 芝府エンジニアリング株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-343267
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174180
出願日： 1998年12月02日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子の回路動作で発生する熱の放熱効率を向上させることができ、冷却効率を向上させることにより大容量化を実現することができる半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置において、第1放熱板2上に第1高熱伝導性絶縁基板41を介在させて半導体素子51〜54が実装され、この半導体素子51〜54上にはさらに第2高熱伝導性絶縁基板71を介在させて第2放熱板8が装着される。半導体素子51〜54で発生した熱は上下2方向から冷却される。さらに第1放熱板2下にはヒートシンク1が配設される。半導体素子51〜54と第2高熱伝導性絶縁基板71との間は、熱的良導体である高熱伝導性接着材により固着され、また圧接される。

請求項（抜粋）：

第1放熱板と、前記第1放熱板上の第1高熱伝導性絶縁基板と、前記第1高熱伝導性絶縁基板上の半導体素子と、前記半導体素子上の第2高熱伝導性絶縁基板と、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/36 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (2件)：

H01L 23/36 D ,  H01L 25/04 C

Fターム (6件)：

5F036AA01 ,  5F036BB01 ,  5F036BB05 ,  5F036BB08 ,  5F036BB21 ,  5F036BC05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• パワーデバイスチップの実装構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-160761   出願人：日産自動車株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-212325   出願人：株式会社デンソー
• 特開平2-089352