半導体デバイスの製造方法およびそのシステム

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-017887
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222752
出願日： 2001年01月26日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：

【要約】【課題】ミックス・アンド・マッチ露光を行う際、半導体デバイス製品の、特にデバイスエリアでの合わせ精度を向上させる半導体デバイスの製造方法およびそのシステムを提供することにある。【解決手段】本発明は、ミックス・アンド・マッチで用いる2つの露光装置の露光フィールド歪みのデータと、製品のデバイスエリアならびに合わせ測定マーク位置のデータとから、デバイスエリアでの露光歪みの2層間の差と、合わせ測定マークの位置での露光歪みの2層間の差をそれぞれ算出して、両者を関連付ける修正値を算出し、合わせ測定結果から算出される第1の露光条件補正値を上記修正値で修正して求められた、第2の露光条件補正値によって露光を実行する。

請求項（抜粋）：

被露光基板上の第1層に第1の露光装置を用いて露光フィールドで露光する第1層露光工程と、その後、前記被露光基板上の第2層に第2の露光装置を用いて露光フィールドで前記第1層に重ね合わせ露光する第2層露光工程とを有する半導体デバイスの製造方法において、予め、前記第1および第2の露光装置の露光フィールドにおける露光フィールド歪みのデータから、露光フィールド内のデバイスエリアの領域座標データおよび合わせ測定マークの位置データに基いて、前記デバイスエリアでの前記第1および第2の露光装置による露光歪みと、前記合わせ測定マークの位置での前記第1および第2の露光装置による露光歪みとをそれぞれ算出し、この算出されたデバイスエリアでの第1の露光装置による露光歪みと第2の露光装置による露光歪みとの差、および合わせ測定マークの位置での第1の露光装置による露光歪みと第2の露光装置による露光歪みのとの差を算出し、さらに、両者を関連付ける修正値を算出する修正値算出過程と、過去、第2の露光装置によって前記合わせ測定マークを基準に重ね合わされて露光された対象物を測定して第2の露光装置による露光フィールドにおける合わせ測定結果を取得する合わせ測定結果取得過程と、該合わせ測定結果取得過程により取得された第2の露光装置による露光フィールドにおける合わせ測定結果を基に、第2の露光装置における基準露光フィールドに対する第1の露光条件補正値を算出する第1の露光条件補正値算出過程と、該第1の露光条件補正値算出過程で算出された第1の露光条件補正値を、前記修正値算出過程で算出された修正値で修正して、第2の露光装置によるデバイスエリアでの第2の露光条件補正値を算出する第2の露光条件補正値算出過程とを有し、該第2の露光条件補正値算出過程で算出された第2の露光条件補正値を用いて、前記第2層露光工程における第2の露光装置による重ね合わせ露光を実行することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521

FI (2件)：

G03F 7/20 521 , H01L 21/30 514 C

Fターム (8件)：

5F046AA28 , 5F046BA04 , 5F046BA05 , 5F046DA13 , 5F046DD01 , 5F046DD06 , 5F046FC03 , 5F046FC04

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