特許

J-GLOBAL ID：200903069350617472

MgO-SiO2 系磁器及びその製造方法

発明者： 杉浦 裕胤 ,  福井 武久 ,  東田 豊 ,  角岡 勉
出願人/特許権者： 財団法人ファインセラミックスセンター ,  アイシン精機株式会社 ,  日本特殊陶業株式会社
代理人 (1件)： 岡田 英彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-155559
公開番号（公開出願番号）：特開平7-033516
出願日： 1993年06月25日
公開日（公表日）： 1995年02月03日
要約：

【要約】【目的】フォルステライト相及び/又はエンスタタイト相との混成焼結体を得ることにより、優れた電気的性質を有するMgO-SiO2 系磁器を提供すること。【構成】フォルステライト相及び/又はエンスタタイト相を有する緻密な混成焼結体であって、MgOとSiO2 のモル比の範囲が2.5対1から2対1.7、比誘電率が6.4〜7.5、誘電正接が1×10-4以下であることを特徴とするMgO-SiO2 系磁器。

請求項（抜粋）：

フォルステライト相及び/又はエンスタタイト相を有する緻密な混成焼結体であって、MgOとSiO2 のモル比の範囲が2.5対1から2対1.7、比誘電率が6.4〜7.5、誘電正接が1×10-4以下であることを特徴とするMgO-SiO2 系磁器。

IPC (3件)：

C04B 35/20 ,  H01B 3/12 333 ,  H01F 1/10

FI (2件)：

C04B 35/20 ,  H01F 1/10