特許
J-GLOBAL ID：200903069352562071
電荷平衡電界効果トランジスタ
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
藤村 元彦
, 永岡 重幸
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-515966
公開番号（公開出願番号）：特表2008-546216
出願日： 2006年06月08日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：
電界効果トランジスタを以下のように製造する。第1導電型の半導体領域に、半導体領域上に広がる第2導電型のエピタキシャル層を設ける。エピタキシャル層を貫通し且つ半導体領域内において終端する溝部を形成する。第1導電型のドーパントの2方向傾斜イオン注入を実行することによって、溝部の側面に沿って第1導電型の領域を形成する。第2導電型のドーパントの閾値電圧調整イオン注入を実行することによって、溝部の上側側面に沿って延在する第1導電型の領域の部分の導電型を第2導電型に変える。溝部の各々の側面に位置する第1導電型のソース領域を形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体領域に、前記半導体領域上に広がる第2導電型のエピタキシャル層を設け、
前記エピタキシャル層を貫通し且つ前記半導体領域において終端する溝部を形成し、
前記第1導電型のドーパントの2方向傾斜イオン注入を実行することによって、前記溝部の側壁に沿って前記第1導電型の領域を形成し、
前記第2導電型のドーパントの閾値電圧調整イオン注入を実行することによって、前記溝部の上側側面に沿って延在する前記第1導電型の領域の一部の導電型を前記第2導電型に変え、
前記溝部の各々の側面に位置する前記第1導電型のソース領域を形成する工程を含む電界効果トランジスタを製造する方法。
IPC (2件)：
FI (6件)：
H01L29/78 652K
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 658A
, H01L29/78 658E
, H01L29/78 658G
, H01L29/78 652H
