特許

J-GLOBAL ID：200903069370545028

単結晶薄膜の形成方法

発明者： 堂本 千秋
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-223785
公開番号（公開出願番号）：特開2002-037695
出願日： 2000年07月25日
公開日（公表日）： 2002年02月06日
要約：

【要約】【課題】単結晶基板上に材質の異なる単結晶薄膜を成長させる場合に転位密度の小さな高品質の単結晶薄膜を容易に形成することができる単結晶薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】単結晶基板1上に、それとは異なる格子定数を有する第1の単結晶薄膜2を成長させる工程と、前記第1の単結晶薄膜2の表面に、これよりも大きな格子定数を有する単結晶から成る多数の量子ドット3を第1の単結晶薄膜2の転位線5に沿って選択的に形成する工程と、前記第1の単結晶薄膜2と同質の単結晶から成る第2の単結晶薄膜4を、前記量子ドット3を被覆するようにして、第1の単結晶薄膜2上に連続的に成長させる工程と、によって単結晶薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

単結晶基板上に、該単結晶基板とは異なる格子定数を有する第1の単結晶薄膜を成長させる工程と、前記第1の単結晶薄膜の表面に、これよりも大きな格子定数を有する単結晶から成る多数の量子ドットを第1の単結晶薄膜の転位線に沿って選択的に形成する工程と、前記第1の単結晶薄膜と同質の単結晶から成る第2の単結晶薄膜を、前記量子ドットを被覆するようにして、前記第1の単結晶薄膜上に連続的に成長させる工程と、を含むことを特徴とする単結晶薄膜の形成方法。

IPC (7件)：

C30B 23/08 ,  C30B 29/40 502 ,  C30B 29/40 ,  G02F 1/017 501 ,  H01L 21/203 ,  H01L 31/10 ,  H01S 5/343

FI (7件)：

C30B 23/08 M ,  C30B 29/40 502 K ,  C30B 29/40 502 L ,  G02F 1/017 501 ,  H01L 21/203 M ,  H01S 5/343 ,  H01L 31/10 A

Fターム (29件)：

2H079DA16 ,  2H079DA22 ,  4G077AA03 ,  4G077BE46 ,  4G077BE47 ,  4G077DA05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077HA06 ,  4G077SC01 ,  5F049MB07 ,  5F049PA05 ,  5F049SS03 ,  5F073CA01 ,  5F073CB04 ,  5F073DA06 ,  5F103AA04 ,  5F103DD03 ,  5F103DD13 ,  5F103HH03 ,  5F103LL03 ,  5F103LL04 ,  5F103LL07 ,  5F103LL09 ,  5F103LL17 ,  5F103LL20 ,  5F103NN01 ,  5F103RR05 ,  5F103RR06