特許

J-GLOBAL ID：200903069370775430

半導体装置

発明者： 斎藤 吉広
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-015105
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218015
出願日： 1992年01月30日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、吸水性に優れた表面保護膜を有する半導体装置を得ることを目的とする。【構成】 半導体素子が形成された基板上の絶縁膜(1)の所定部分には、上層配線(2)が施されている。この上層配線(2)を含む絶縁膜(1)上には、第(1)のSiN層(31)、SiO2 層(4)、及び第2のSiN層(32)が順次積層されて表面保護膜を形成している。上述の構造によれば、表面保護膜の上層を形成する第2のSiN層(32)にごくわずかに存在するピンホールを透過して浸入する水分は、吸水性のあるSiO2 層(4)で吸収される。

請求項（抜粋）：

上面が表面保護膜により被覆されている半導体装置において、前記表面保護膜は、第1の窒化シリコン層と、酸化シリコン層と、第2の窒化シリコン層とが順次積層された3層構造を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/90