特許

J-GLOBAL ID：200903069379273896

薄膜トランジスタおよびその作製方法

発明者： 張 宏勇 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-071103
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260650
出願日： 1993年03月05日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタにおいて、ゲイト電極・配線と薄膜半導体領域(活性層)との間の信頼性を向上させ、特性の改善を図る。【構成】 島状の薄膜半導体領域の端部、特にゲイト電極が横断する部分に隣接する領域を真性半導体もしくはチャネル形成領域と同じ導電型とすることにより、この部分でのゲイト絶縁膜の破壊を防止する。

請求項（抜粋）：

島状の薄膜半導体領域と、前記半導体領域を横断するゲイト電極とを有する薄膜トランジスタにおいて、前記ゲイト電極が設けられていない部分の半導体領域において、半導体領域の周辺に接する実質的に真性な領域を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/266 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/092

FI (4件)：

H01L 29/78 311 R ,  H01L 21/265 M ,  H01L 27/08 321 B ,  H01L 29/78 311 G

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平2-246278
  
• 特開平3-219645
  
• 特開昭63-066968
  
• 特開昭63-177564
  

審査官引用 (4件)

• 特開平2-246278
  
• 特開平3-219645
  
• 特開昭63-066968
  
• 特開昭63-177564