特許
J-GLOBAL ID：200903069387903483
エッチング装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 昌久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-245402
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069510
出願日： 1995年08月30日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：
【要約】【課題】 ウエーハ群を混酸の定常状態にある回転流の中に置き、且つバブリング用気体の均一な分散を図るべく、エッチング処理槽内の主要化学処理領域をウエーハと略同心円を描く回転流を形成するようにして、混酸の安定した流動状態にすることにより平坦度を確保しつつ所要の光沢度の設定をも可能としたエッチング装置を提供する。【解決手段】 混酸供給部10と、エッチング処理槽11とオーバーフロー槽12とより構成し、混酸供給部10とエッチング処理槽11の間に設けた整流板13の混酸整流用貫通孔17により混酸の表層流19を形成させ、その表層流によりウエーハ周辺に定常状態の回転流20を誘起する。
請求項（抜粋）：
エッチング用混酸供給部と、エッチング処理槽と、オバーフロー槽とよりなり、前記エッチング処理槽には鉛直状に適当間隔で並立させ、且つ回転可能にした半導体ウエーハ群を混酸の流れに対し平行に載置させ、バブリング用気泡をエッチング処理槽下部より混酸中に放出分散させ、前記半導体ウエーハに化学的処理を行なうようにしたエッチング装置において、前記エッチング処理槽内の混酸の流れは、液面に形成される表層流と、半導体ウエーハ周辺に誘起される回転流とにより構成したことを特徴とするエッチング装置。
IPC (3件)：
H01L 21/306
, C23F 1/08 104
, H01L 21/304 341
H01L 21/306 J
, C23F 1/08 104
, H01L 21/304 341 T
