特許

J-GLOBAL ID：200903069388153127

半導体記憶装置

発明者： 山中 睦
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-017671
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217365
出願日： 1992年02月03日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 ダイナミックRAMのアクセスタイムおよびサイクルタイムを短縮することである。【構成】 2組のデータバスDBa,DBb、2つのイコライズ回路14a,14bおよび2つの増幅回路15a,15bが設けられる。選択信号発生回路18は、データバスDBa,DBbを交互に選択するための選択信号Sa,Sbを発生する。データバスDBaが選択されたときには、イコライズ回路14bが活性化され、増幅回路15aが活性化される。データバスDBbが選択されたときには、イコライズ回路14aが活性化され、増幅回路15bが活性化される。

請求項（抜粋）：

データを記憶するメモリ手段と、前記メモリ手段から読出されたデータを伝達する第1のデータバスと、前記メモリ手段から読出されたデータを伝達する第2のデータバスと、前記第1および第2のデータバスを交互に選択するデータバス選択手段と、前記データバス選択手段により選択されたデータバスを前記メモリ手段に接続する接続手段と、前記第1のデータバスを所定の電位に設定する第1の電位設定手段と、前記第2のデータバスを所定の電位に設定する第2の電位設定手段と、前記第1のデータバス上のデータを増幅する第1の増幅手段と、前記第2のデータバス上のデータを増幅する第2の増幅手段と、前記データバス選択手段により前記第1のデータバスが選択されたときに前記第2の電位設定手段および前記第1の増幅手段を活性化し、前記データバス選択手段により前記第2のデータバスが選択されたときに前記第1の電位設定手段および前記第2の増幅手段を活性化する活性化手段とを備えた、半導体記憶装置。