特許
J-GLOBAL ID:200903069388709729

表面粗さ測定装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井桁 貞一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-182711
公開番号(公開出願番号):特開平6-026846
出願日: 1992年07月10日
公開日(公表日): 1994年02月04日
要約:
【要約】【目的】 表面粗さ測定装置に関し,光学系の調整を容易にし,且つ大視野観察手段の追加を容易にできる原子間力顕微鏡の提供を目的とする。【構成】 1)先端に探針2を持つカンチレバー1のたわみを検知することにより該カンチレバーに加わる力を検出し,該力でもって被測定試料の表面形状を測定するか,あるいは該力が一定値になるように該探針と該被測定試料の相対位置を決定し,該位置でもって被測定試料の表面形状を測定する装置であって,該カンチレバーの先端の該探針と反対側の面に形成された半導体レーザ4と,該半導体レーザから射出される光の到達する位置に設けられた受光器とを有する,2)カンチレバー保持部に設けられた半導体レーザ4と,該半導体レーザからの出射光を通す2次元導波路機能を備えたカンチレバー8と,該カンチレバーの先端の該探針と反対側の面に設けられた光方向変換手段9とを有するように構成する。
請求項(抜粋):
先端に探針(2) を持つカンチレバー(1) のたわみを検知することにより該カンチレバーに加わる力を検出し,該力でもって被測定試料の表面形状を測定するか,あるいは該力が一定値になるように該探針と該被測定試料の相対位置を決定し,該位置でもって被測定試料の表面形状を測定する装置であって,該カンチレバーの先端の該探針と反対側の面に形成された半導体レーザ(4)と,該半導体レーザから射出される光の到達する位置に設けられた受光器とを有することを特徴とする表面粗さ測定装置。
IPC (3件):
G01B 11/30 102 ,  G01B 21/30 102 ,  H01J 37/28
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開平4-083138
  • 特開昭58-029153

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