半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-199342
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045429
出願日： 1992年07月27日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【目的】誘電体分離構造の半導体装置の製造工程においてウェーハが大きく反るのを防ぐ。【構成】素子分離用の溝を有する第1シリコン基板1上に酸化シリコン膜2,多結晶シリコン膜3の順に形成する。次で第2シリコン基板5上に酸化シリコン膜4を形成した後、第1シリコン基板1の多結晶シリコン面と第2シリコン基板5の酸化シリコン膜の面を直接接合し、さらに第1シリコン基板1を裏面より所定の厚さまで研磨することにより、基板の反りを抑制しかつ強力な接合面を形成する。

請求項（抜粋）：

第1シリコン基板の表面に素子分離用の溝を形成したのちこの溝上を含む全面に少くとも酸化シリコン膜と多結晶シリコン膜とを順次形成する工程と、この多結晶シリコン膜の表面を研磨して鏡面とする工程と、第2シリコン基板の表面に絶縁膜を形成したのちこの表面を第1シリコン基板の前記多結晶シリコン膜の面に合わせて接合する工程と、接合された前記第1シリコン基板の裏面を研磨し前記溝底部の前記酸化シリコン膜を露出させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭53-033590
特開平3-142855
特開平4-154147

前のページに戻る