特許

J-GLOBAL ID：200903069391789474

半導体装置

発明者： 山口 欣秀 ,  天明 浩之 ,  井上 康介 ,  大録 範行 ,  宝蔵寺 裕之 ,  角田 重晴 ,  皆川 円 ,  諫田 尚哉 ,  安生 一郎 ,  西村 朝雄 ,  氏家 健二 ,  矢島 明
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-333531
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016190
出願日： 2000年10月27日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、アンダーフィルの不要なフリップチップ接続を可能とする半導体装置を実現することにある。【解決手段】本発明は、上記目的を達成するために、半導体素子と、該半導体素子の上に形成された絶縁層と、該絶縁層の上に形成され該半導体素子の有する電極と電気的に接続した外部接続端子とを有する半導体装置であって、該絶縁層の厚さを約35乃至約150マイクロメートルとしたものである。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、該半導体素子の上に形成された絶縁層と、該絶縁層の上に形成され該半導体素子の有する電極と電気的に接続した外部接続端子とを有する半導体装置であって、該絶縁層の厚さを約35乃至約150マイクロメートルとしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/12 501 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (5件)：

H01L 23/28 J ,  H01L 21/56 R ,  H01L 23/12 501 P ,  H01L 21/92 603 C ,  H01L 23/30 B

Fターム (14件)：

4M109AA02 ,  4M109BA07 ,  4M109CA12 ,  4M109DA03 ,  4M109EA07 ,  4M109ED03 ,  4M109ED07 ,  4M109EE02 ,  5F061AA02 ,  5F061BA07 ,  5F061CA12 ,  5F061CB02 ,  5F061CB06 ,  5F061CB13