半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-121076
公開番号（公開出願番号）：特開平10-312686
出願日： 1997年05月12日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】長い配線を必要とせずにプリチャージ・イコライズ時間を高速化し、アクセス時間を高速化する。【解決手段】 1つのカラム201の両端にそれぞれプリチャージ・イコライズ回路11a、11bが設けられ、同一のY選択信号51により駆動されるYスイッチ回路141、142が設けられたカラム201、202どうしが隣接するように交互に配列された半導体記憶装置において、Yスイッチ回路141が設けられていない側の一端に設けられたプリチャージ・イコライズ回路11bを駆動するための反転Y選択信号122を隣接するカラム202のYスイッチ回路142から入力する。

請求項（抜粋）：

特定の距離をおいて設けられている第1および第2のデータバスと、一対のビット線と、当該一対のビット線とワード線との交点に設けられた複数のメモリセルとから構成され、前記第1のデータバスと前記第2のデータバスとの間に設けられた複数のカラムと、前記カラムを選択するためのY選択信号を入力し、前記Y選択信号がアクティブになると前記ビット線を第1または第2のデータバスに接続する複数のYスイッチ回路とを有し、前記複数のカラムは、前記ビット線の前記第1のデータバスが設けられている側の一端に前記Yスイッチ回路が設けられ、前記第1のデータバスに前記Yスイッチ回路を介して接続された第1のカラムと、前記ビット線の前記第2のデータバスが設けられている側の一端に前記Yスイッチ回路が設けられ、前記第2のデータバスに前記Yスイッチ回路を介して接続された第2のカラムとにより構成され、同一のY選択信号が入力されるYスイッチ回路が設けられた前記第1と第2のカラムを有する半導体記憶装置において、前記各ビット線をプリチャージする第1のプリチャージ回路が前記各第1および第2のカラムのYスイッチ回路が設けられた側に設けられ、前記各ビット線をプリチャージする第2のプリチャージ回路が前記各第1および第2のカラムのYスイッチ回路が設けられていない側に設けられ、前記第1のプリチャージ回路は当該第1のプリチャージ回路が設けられたカラムのY選択信号の反転信号により駆動され、前記第2のプリチャージ回路は当該第2のプリチャージ回路が設けられたカラムのY選択信号と同一の他のカラムのY選択信号の反転信号により駆動されることを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平3-224200
半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-321779 出願人：三星電子株式会社

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