特許
J-GLOBAL ID：200903069393952569
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-053032
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078867
出願日： 1994年02月25日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：
【要約】【目的】 ボロンの濃度が高い拡散層をフィールド酸化膜下に有する半導体装置を製造する。【構成】 フィールド酸化膜としてのSiO2 膜16を形成する際の酸化防止膜としてのSiN膜13とこのSiN膜13をパターニングするために用いたレジスト14とをマスクにして、ボロン32をイオン注入する。このため、SiN膜13のみをマスクにする場合に比べて深い位置にまでボロン32をイオン注入することができ、ボロン32を含む拡散層33をSiO2 膜16下に形成しても、ボロン32はSiO2 膜16中に取り込まれ難い。
請求項（抜粋）：
半導体基体上に酸化防止膜を形成する工程と、前記半導体基体のうちのフィールド領域を開口したパターンのマスク層を前記酸化防止膜上に形成する工程と、前記マスク層をマスクにして前記酸化防止膜をパターニングする工程と、このパターニングの後に、少なくとも前記マスク層をマスクにして、前記フィールド領域にボロンをイオン注入する工程と、このイオン注入の後に、前記酸化防止膜をマスクにして前記フィールド領域にフィールド酸化膜を形成すると共に、前記ボロンを含む拡散層を前記フィールド酸化膜下に形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/76
, H01L 21/316
, H01L 27/08 331
H01L 21/76 S
, H01L 21/94 A
