特許

J-GLOBAL ID：200903069397738294

薄膜トランジスタとそれを用いた液晶表示素子およびその製造方法

発明者： 盛田 由公
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-359199
公開番号（公開出願番号）：特開2001-177100
出願日： 1999年12月17日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】 石英基板に対して斜めからの入射光が反射して薄膜トランジスタのソース領域,ドレイン領域やチャネル領域に漏れ込み、光励起によるオフ電流が増加し、液晶表示装置のコントラストを低下させるという問題があった。【解決手段】 第1の遮光膜11の端部と石英基板1とが、石英基板1上の第1の層間絶縁膜8および第2の層間絶縁膜10に形成した所定のコンタクト溝15に選択的に埋め込んだ高融点金属から成る第2の遮光膜16により接続されている構成により、石英基板1に対して斜めからの入射光14のうち、石英基板1と第1の層間絶縁膜8との界面で反射された反射光17は第2の遮光膜16で遮られるため、薄膜トランジスタのソース領域2,ドレイン領域3およびチャネル領域4への光の洩れ込みを低減でき、光励起によるオフ電流も低減でき、液晶表示装置のコントラスト低下を抑制できる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されソース領域,ドレイン領域およびチャネル領域となる能動層と、前記能動層上にゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極と、前記ゲート電極および前記能動層の上方に層間絶縁膜を介して形成した第1の遮光膜とを備えた薄膜トランジスタであって、前記第1の遮光膜の端部の下の前記層間絶縁膜に所定の溝を形成しこの溝に第2の遮光膜を埋め込んだことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1335 500 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 349

FI (4件)：

G02F 1/1335 500 ,  G09F 9/30 349 C ,  H01L 29/78 619 B ,  G02F 1/136 500

Fターム (59件)：

2H091FA34Y ,  2H091FB08 ,  2H091FB09 ,  2H091FC02 ,  2H091FD04 ,  2H091GA01 ,  2H091GA02 ,  2H091GA13 ,  2H091LA17 ,  2H091LA30 ,  2H092JA25 ,  2H092JA28 ,  2H092JA36 ,  2H092JA40 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092JB51 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KB04 ,  2H092MA07 ,  2H092MA18 ,  2H092NA22 ,  2H092PA01 ,  2H092PA09 ,  5C094AA06 ,  5C094AA16 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094EA03 ,  5C094EA06 ,  5C094EA07 ,  5C094ED15 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA06 ,  5F110AA21 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE09 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL07 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN42 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN48 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73