特許

J-GLOBAL ID：200903069401203740

成膜中にパーティクル発生の少ないスパッタリング用Coシリサイド焼結ターゲット材

発明者： 土方 研一 ,  原田 剛 ,  小岩 正幸
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-216811
公開番号（公開出願番号）：特開平8-074043
出願日： 1994年09月12日
公開日（公表日）： 1996年03月19日
要約：

【要約】【目的】 成膜中にパ-ティクル発生の少ないスパッタリング用Coシリサイド焼結タ-ゲット材を提供する。【構成】 スパッタリング用Coシリサイド焼結タ-ゲット材が、CoSin(ただし、nはモル比で1.8〜2.5)の組成式を満足し、かつCo-Si 2元合金系状態図で示されるCoSi2化合物が反応生成相として存在し、このCoSi2反応生成相中に、同状態図におけるCoSi-CoSi2共晶の第1未反応共晶相とCoSi2-Si共晶の第2未反応共晶相が分散分布した組織を有する。

請求項（抜粋）：

CoSin(ただし、nはモル比で1.8〜2.5)の組成式を満足し、かつCo-Si2元合金系状態図で示されるCoSi2化合物が反応生成相として存在し、このCoSi2化合物反応生成相中に、同状態図におけるCoSi化合物とCoSi2化合物の共晶からなる第1未反応共晶相と、同じく同状態図におけるCoSi2化合物とSiの共晶からなる第2未反応共晶相とが分散分布した組織を有することを特徴とする成膜中にパ-ティクル発生の少ないスパッタリング用Coシリサイド焼結タ-ゲット材。

IPC (6件)：

C23C 14/34 ,  C01B 33/06 ,  C04B 35/58 106 ,  C22C 19/07 ,  C22C 1/04 ,  H01L 21/203