特許
J-GLOBAL ID：200903069402068103
ナノ構造制御高分子イオン交換膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
社本 一夫
, 増井 忠弐
, 小林 泰
, 千葉 昭男
, 富田 博行
, 平山 晃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-305094
公開番号（公開出願番号）：特開2005-078849
出願日： 2003年08月28日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】 高分子イオン交換膜における欠点であるイオン交換容量が小さく、耐酸化性、寸法安定性及び耐メタノール性が悪いことなどを解決課題とする。【解決手段】 基材とした高分子フィルムをイオン照射してナノサイズの照射損傷領域を作り、機能性モノマーをグラフト又は共グラフトし、更にグラフト鎖へスルホン酸基を導入することによって、優れた耐酸化性、寸法安定性、及び耐メタノール性を有し、かつイオン交換容量が広い範囲内に制御された高分子イオン交換膜の製造法を確立した。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
高分子フィルム基材に水素イオン、ヘリウムイオン、又は高エネルギー重イオンを104〜1014個/cm2照射し、該フィルム基材にスルホニルハライド基を有するモノマーである、CF2=CF(SO2X1)(式中、X1はハロゲン基で-F又は-Clである。以下同じ。)、CH2=CF(SO2X1)、及びCF2=CF(OCH2(CF2)1〜4SO2X1)からなる群から選択される1種類又は2種類以上のモノマーを加えて脱気後加熱し、該フィルム基材に該モノマーをグラフト重合させ、グラフトした分子鎖中のハロゲン基[-X1]をスルホン酸塩[-SO3M](式中、Mはアルカリ金属でNa又はKである。)とし、次いでスルホン酸塩基をスルホン酸基[-SO3H]とすることを特徴とする、高分子イオン交換膜の製造方法。
IPC (4件)：
H01M8/02
, C08J5/22
, H01B13/00
, H01M8/10
H01M8/02 P
, C08J5/22 101
, C08J5/22
, H01B13/00 Z
, H01M8/10
4F071AA02
, 4F071AA14
, 4F071AA26
, 4F071AA43
, 4F071AA50
, 4F071AA54
, 4F071AA60
, 4F071AA64
, 4F071AC03
, 4F071FB01
, 4F071FC01
, 4F071FC08
, 4F071FD04
, 5H026AA08
, 5H026BB00
, 5H026BB01
, 5H026BB10
, 5H026CX05
, 5H026EE19
, 5H026HH05
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
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