特許

J-GLOBAL ID：200903069407471089

磁気抵抗メモリ効果をもつメモリセルを備えた集積メモリ

発明者： ウド ハルトマン
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-208450
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093150
出願日： 2001年07月09日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】 磁気抵抗メモリ効果をもつメモリセルを備えた集積メモリにおいて、記憶すべきデータに関してかなり高い信頼性が得られるようにする。【解決手段】 メモリセルMC1〜MC3はそれぞれ共通の電気線路WLkと接続されている。電気線路WLkは第1の導体路LB1および第2の導体路LB2を有している。この導体路WLkは第1の端子A1および第2の端子A2を有しており、各端子A1,A2の間で結合ノードx1〜x3においてメモリセルMC1〜MC3と接続されている。情報をメモリセルMC1〜MC3の1つへ書き込むため、第1の導体路LB1の第1の端子A1は電流源Q1と接続されており、第2の導体路LB2の第2の端子A2は別の電流源Q2と接続されている。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗メモリ効果をもつメモリセルを備えた集積メモリにおいて、メモリセル(MC1〜MC3)はそれぞれ共通の電気線路(WLk)と接続されており、前記電気線路(WLk)は第1の導体路(LB1)および第2の導体路(LB2)を有しており、該導体路(WLk)は第1の端子(A1)および第2の端子(A2)を有しており、各端子(A1,A2)の間で結合ノード(x1〜x3)においてメモリセル(MC1〜MC3)と接続されており、情報をメモリセル(MC1〜MC3)の1つへ書き込むため、第1の導体路(LB1)の第1の端子(A1)は電流源(Q1)と接続されており、第2の導体路(LB2)の第2の端子(A2)は別の電流源(Q2)と接続されていることを特徴とする、集積メモリ。

IPC (4件)：

G11C 11/15 ,  G11C 11/14 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/15 ,  G11C 11/14 A ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (4件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083KA01 ,  5F083KA03