特許
J-GLOBAL ID：200903069410034641
半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-040020
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232456
出願日： 1996年02月27日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【目的】 BiCMOS-SRAM構造の半導体装置等のバイポーラトランジスタを備える半導体装置について、その局所的な段差を解消し、段差に伴う問題を解決した半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 ?@半導体基板1上にベース電極18とこの上のベースオフセット絶縁膜13′を有するベース部、エミッタ電極20を有するエミッタ部、コレクタ部を備え、コレクタ部またはその近傍に、ベース電極18とベースオフセット絶縁膜13′とエミッタ電極20の各膜の膜厚の総和にほぼ等しい膜厚のパターン19a,19b,21を形成して、段差解消Dを行う。?Aベース電極形成用層パターニング時に同時にパターン19aを形成し、ベースオフセット絶縁膜形成用層パターニング時に同時にパターン19bを形成し、エミッタ電極形成用層パターニング時に同時にパターン21を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にベース電極とこのベース電極上に形成されたベースオフセット絶縁膜を有するベース部と、エミッタ電極を有するエミッタ部と、コレクタ部とを備えたバイポーラトランジスタを少なくとも有する半導体装置において、コレクタ部またはその近傍に、ベース電極とベースオフセット絶縁膜とエミッタ電極の各膜の膜厚の総和にほぼ等しい膜厚のパターンを形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/8249
, H01L 27/06
