特許
J-GLOBAL ID:200903069411110279

半導体素子および半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 池内 寛幸 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-313651
公開番号(公開出願番号):特開2001-135662
出願日: 1999年11月04日
公開日(公表日): 2001年05月18日
要約:
【要約】【課題】 製造コストが安く信頼性および生産性の高い、フリップチップ実装用の半導体素子および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体素子1上の入出力電極端子部2に形成した導電性ポスト4と、導電性ポストが形成された側の半導体素子表面上に半硬化(Bステージ化)させた樹脂膜3とを備えた半導体素子を回路基板上にフェースダウンにて加圧及び加熱処理を行いフリップチップ実装する
請求項(抜粋):
回路基板上にフェースダウンにてフリップチップ実装する半導体素子であって、前記半導体素子の入出力電極端子部に形成した導電性ポストと、前記導電性ポストが形成された側の前記半導体素子表面上に形成した半硬化(Bステージ化)させた樹脂膜とを備えたことを特徴とする半導体素子。
IPC (3件):
H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12
FI (9件):
H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 604 S ,  H01L 21/92 602 D ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/92 603 G ,  H01L 21/92 603 C ,  H01L 21/92 604 B ,  H01L 21/92 604 E ,  H01L 23/12 L
Fターム (6件):
5F044KK01 ,  5F044LL11 ,  5F044LL15 ,  5F044QQ03 ,  5F044QQ04 ,  5F044RR17

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