特許
J-GLOBAL ID：200903069413973673
半導体基板のトレンチ分離方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-142752
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054605
出願日： 1998年05月25日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 素子分離領域から半導体基板に加わるストレスを緩和させるトレンチ分離構造の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板のトレンチ分離方法において、トレンチ領域を埋めるトレンチ充填用酸化膜25を、2種の異なる酸化膜22、24により形成してから高密度化するようにしたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板のトレンチ分離方法において、トレンチ領域を埋めるトレンチ充填用酸化膜を、2種の異なる酸化膜により形成してから高密度化するようにしたことを特徴とするトレンチ分離方法。
引用特許：
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