特許
J-GLOBAL ID：200903069418886671
パルスバイアス水素負イオン注入方法及び注入装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-179838
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012285
出願日： 1998年06月26日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 質量分離マグネットなどが不要で走査機構も不要な水素イオン注入方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板、絶縁体基板または金属基板を水素プラズマ室の内部に入れ、水素プラズマと接触させ、ウエハに正のバイアス電圧をパルス的に印加して、プラズマ中の水素負イオンH-をウエハに注入する。
請求項（抜粋）：
半導体基板、絶縁体基板或いは金属基板の所定の深さに水素イオンを注入する方法であって、プラズマ生成手段によって水素を含むプラズマを発生し、半導体基板、絶縁体基板或いは金属基板を水素プラズマ中にさらし、基板に正のパルス電圧を印加することによってプラズマ中の水素負イオンを基板中に所定深さまで注入することを特徴とするパルスバイアス水素負イオン注入方法。
IPC (4件)：
H05H 1/46
, C23C 14/48
, G21K 5/04
, H01L 21/265
H05H 1/46 A
, C23C 14/48 Z
, G21K 5/04 A
, H01L 21/265 F
4K029AA02
, 4K029AA06
, 4K029BA32
, 4K029CA10
, 4K029CA13
, 4K029DE02
