特許

J-GLOBAL ID：200903069419572034

半導体装置、固体撮像装置及びその製造方法

発明者： 角 博文
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-255906
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085659
出願日： 1999年09月09日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】 CMOS型固体撮像装置における小型化、画素の高集積化を図る。【解決手段】 pn接合型のセンサ部42と複数のトランジスタを有し、所要のトランジスタ43,44,45,46がMOSトランジスタで構成され、他の所要の非増幅素子であるトランジスタ47が寄生バイポーラトランジスタで形成されて成る。

請求項（抜粋）：

第1の第1導電型半導体領域に第2導電型半導体領域が形成され、前記第2導電型半導体領域に1の半導体素子が形成され、前記1の半導体素子を構成する第2の第1導電型半導体領域、又は該第2の第1導電型半導体領域と同時形成の第3の第1導電型半導体領域と、前記第2導電型半導体領域と、前記第1の第1導電型半導体領域とで形成される寄生バイポーラトランジスタにより非増幅素子が形成されて成ることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (4件)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 E ,  H04N 5/335 U ,  H01L 31/10 A

Fターム (29件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA07 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118FA42 ,  4M118FA50 ,  5C024AA01 ,  5C024BA01 ,  5C024CA06 ,  5C024CA31 ,  5C024FA01 ,  5C024GA01 ,  5C024GA31 ,  5C024JA04 ,  5C024JA23 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA19 ,  5F049NB05 ,  5F049QA15 ,  5F049RA03 ,  5F049RA06 ,  5F049SS03

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭59-144278