特許
J-GLOBAL ID：200903069422852200
バンプの構造とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐野 静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-258327
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067617
出願日： 1991年09月09日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：
【要約】【目的】簡単な設備や技術でバンプの形成が行なえ、多品種、少量でも対応可能で、しかもバンプの高さのばらつきが実装時に吸収できるバンプの構造とその製造方法を提供する。【構成】大量の電流の供給を必要としない半導体チップと、回路基板とのフェイスダウン方式による接続に使用されるバンプで、導電性樹脂から成る構造を有している。製造方法としては、図に示すように、電極パッド21が形成された半導体チップ20の全面に導電性樹脂22をレジストとして塗布し、フォトマスク23によってパターン形成を行なって、バンプ24を形成する。これ以外に、ディスペンサーを用いて、電極パッド上に、導電性樹脂を吐出する方法もある。
請求項（抜粋）：
大量の電流の供給を必要としない半導体チップと、回路基板とのフェイスダウン方式による接続に使用されるバンプであって、前記バンプは、導電性樹脂から成ることを特徴とするバンプの構造。
FI (2件)：
H01L 21/92 C
, H01L 21/92 D
