特許
J-GLOBAL ID：200903069434423975
半導体製造方法及び半導体検査装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-109153
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303268
出願日： 1997年04月25日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】不良の早期発見と歩留りの向上に繋がる半導体検査装置を提供する。【解決手段】半導体検査装置9は、薄膜のパターンが形成された所定部位をウエハ裏面より透過解析可能な所定厚さに薄肉化した薄肉部位を残して穿孔する加工部2と、薄肉部位を透過解析手法により検査する検査部3と、検査跡を修復する修復部6とを含み構成し、表面に単層または複層の素子用薄膜を形成したウエハを製造プロセス途中の半導体製造ライン8から抜き取ってオンライン検査するものである。
請求項（抜粋）：
表面に単層または複層の素子用薄膜を形成したウエハを抜き取り、前記ウエハを検査する半導体製造方法において、前記検査は、前記ウエハの局所を選択して薄肉化して形成した薄肉部位に対する透過解析手法によるオンライン検査であることを特徴とする半導体製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/66 Z
, H01L 21/66 P
