特許

J-GLOBAL ID：200903069436365174

単結晶引上げ制御方法

発明者： 田中 正博 ,  芳賀 博世 ,  長谷部 政美
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-068085
公開番号（公開出願番号）：特開平8-259381
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月08日
要約：

【要約】【目的】 CZ法による単結晶プロセスにおいて、高歩留まりかつ生産性の高い単結晶製造方法を提供することを目的とする。【構成】 CZ法による単結晶製造プロセスにおいて、融液の上方よりCCDカメラなどの二次元的撮像デバイスによって融液表面を観察し、融液表面から発せられる放射エネルギーを温度に変換することで融液表面上の温度分布とその時間変動を測定し、その情報を基にして操業条件を調整することで最適な結晶成長環境を迅速にかつ確実に得ることができる。

請求項（抜粋）：

融液から単結晶を引上げる単結晶製造方法において、該単結晶引上げ中に該融液表面の二次元的な温度分布およびその時間変動を測定することで、最適な成長環境を知ることを特徴とする方法。

IPC (4件)：

C30B 15/22 ,  C30B 15/26 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06

FI (4件)：

C30B 15/22 ,  C30B 15/26 ,  C30B 29/06 502 E ,  C30B 29/06 502 J

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭61-266391