特許
J-GLOBAL ID：200903069436439178
磁気抵抗センサ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
合田 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-106322
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055312
出願日： 1994年04月22日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：
【要約】【目的】 スピンバルブ構造の磁気抵抗センサ装置を提供する。【構成】 (1)層状のスピンバルブ構造を備え、非磁性金属物質の薄層で隔てられた第1及び第2の強磁性体物質の薄層を有し、ゼロ印加磁界で第1層の磁化方向がセンサの長手軸に平行で第2層の固定磁化方向に垂直であり、さらに、スピンバルブ構造から薄いスペーサ層で隔てられ、第2層の磁化方向とは逆の固定磁化方向と、第2層からの静磁界を相殺するため、第2層のものに実質的に等しいモーメントと厚さの積を持つ薄いキーパ層を有する磁気抵抗センサと、(2)第1及び第2の層の間の強磁性体交換結合を相殺する磁界を生ずるように、磁気抵抗センサを介して電流を流す手段と、(3)第1及び第2の層の磁界の回転の差による磁気抵抗センサの抵抗の変動を検出する手段、とを有するセンサ装置。
請求項（抜粋）：
層状のスピンバルブ構造を備えた磁気抵抗センサが、非磁性金属物質の薄層によって隔てられた第1と第2の強磁性体物質の薄層を有し、ゼロ印加磁界において上記第1層の磁化方向が上記磁気抵抗センサの長手軸に実質的に平行で上記第2層の固定磁化方向に実質的に垂直であり、さらに、上記層状のスピンバルブ構造から薄いスペーサ層によって隔てられ、上記第2層の磁化方向とは逆の固定磁化方向と上記第2層からの静磁界を相殺するため第2層のものに実質的に等しいモーメントと厚さの積を持つ薄いキーパ層を有する磁気抵抗センサと、上記第1及び第2の層の間の強磁性体交換結合を相殺する符号と大きさの磁界を生ずるように、上記磁気抵抗センサに電流を流す手段と、上記第1及び第2の層の磁界の回転の差による上記磁気抵抗センサの抵抗の変動を、検出される磁界の関数として検出する手段と、を有する磁気抵抗センサ装置。
IPC (4件)：
G11B 5/39
, G01R 33/09
, G11B 5/31
, H01L 43/08
