特許

J-GLOBAL ID：200903069436800750

フォトレジストアッシング残滓洗浄剤

発明者： 見神 一郎 ,  山下 喜文 ,  野仲 徹
出願人/特許権者： 株式会社トクヤマ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-254740
公開番号（公開出願番号）：特開2000-089479
出願日： 1998年09月09日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】フォトレジストの不完全灰化物や側壁堆積膜等のフォトレジストアッシンク ゙残滓を良好に除去でき、基板ウェハ上の絶縁膜や導電性膜の腐食性も低い残滓洗浄除去剤を開発すること。【解決手段】a)フッ化アンモニウム化合物、及びb)カチオン部分がアンモニウム塩型であり、アニオン部分がカルボン酸塩型である両性界面活性剤、例えばベタイン型両性界面活性剤の水溶液からなるフォトレジストアッシング残滓洗浄剤。

請求項（抜粋）：

a)フッ化アンモニウム化合物、及びb)カチオン部分がアンモニウム塩型であり、アニオン部分がカルボン酸塩型である両性界面活性剤の水溶液からなるフォトレジストアッシング残滓洗浄剤。【請求項3】a)フッ化アンモニウム化合物の濃度が0.005〜1重量%であり、b)カチオン部分がアンモニウム塩型であり、アニオン部分がカルボン酸塩型である両性界面活性剤の濃度が0.05〜1.5重量%である請求項1記載のフォトレジストアッシング残滓洗浄剤。

IPC (5件)：

G03F 7/42 ,  C11D 1/90 ,  C11D 3/04 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (5件)：

G03F 7/42 ,  C11D 1/90 ,  C11D 3/04 ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/302 H

Fターム (23件)：

2H096AA25 ,  2H096HA30 ,  2H096LA06 ,  2H096LA30 ,  4H003AC10 ,  4H003AD04 ,  4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003DB03 ,  4H003EA05 ,  4H003ED02 ,  4H003FA15 ,  5F004AA08 ,  5F004AA09 ,  5F004BD01 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27 ,  5F004DB26 ,  5F004EA10 ,  5F004FA02 ,  5F004FA08 ,  5F046MA19 ,  5F046NA19