特許
J-GLOBAL ID：200903069440588072
アクテイブマトリクス基板及びアクテイブマトリクス基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-269677
公開番号（公開出願番号）：特開平5-107558
出願日： 1991年10月17日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】 レーザ照射により、電気的特性の優れた駆動回路を絶縁基板上に形成し、配線の短絡の少ないアクティブマトリクス基板とその製造方法を提供する。【構成】 駆動回路を、絶縁基板上にパルスレーザビームの大きさに含まれるように分割して交互配置する。シリコン薄膜を、ビームのエッジ部分が集積回路の外部に存在するようにレーザ照射して結晶化する。この結晶化シリコン薄膜で駆動回路を形成する。また、ゲート電極と走査線を陽極酸化し短絡を防止する。【効果】 レーザビームの照射によるシリコン薄膜の不均一性を防止することができるので、歪温度が低いガラス基板上に優れた電気的特性の駆動回路が内蔵されたアクティブマトリクス基板を形成することができる。
請求項（抜粋）：
画素トランジスタと駆動回路が同一基板上に形成されるアクティブマトリクス基板において、信号線側駆動回路が、複数の領域に分割されて、かつ画素トランジスタが並べられている表示領域を挟んで千鳥足状に交互に構成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, H01L 27/12
, H01L 29/784
