特許

J-GLOBAL ID：200903069444037747

半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者： 田尻 敦志 ,  松本 光晴 ,  野村 康彦 ,  庄野 昌幸 ,  澤田 稔
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-116917
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308437
出願日： 2000年04月18日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】 小型軽量化、低価格化および放熱性の向上が図られた半導体レーザ装置およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 支持部材1上に受光素子9が載置され、受光素子9上に半導体レーザ素子14が載置される。支持部材1の表面に所定間隔を隔てて対向するように複数の端子31,32,33が互いに並列かつ平行に配置される。複数の端子31,32,33は半導体レーザ素子14および受光素子9に電気的に接続される。半導体レーザ素子14の周囲に支持部材1および複数の端子31,32,33を一体化するように平面略コ字状の枠体20が形成される。

請求項（抜粋）：

主面を有する板状の支持部材と、前記支持部材の前記主面上に配置され、レーザ光を出射する半導体レーザ素子と、前記支持部材とは別体に形成され、前記支持部材の前記主面と略平行に配置されるとともに前記半導体レーザ素子に電気的に接続される1または複数の第1の端子と、前記支持部材と前記第1の端子とを一体化するように設けられた枠体とを備え、前記第1の端子は前記支持部材よりも小さな厚さを有することを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (5件)：

H01S 5/022 ,  H01L 23/48 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (3件)：

H01S 5/022 ,  H01L 23/48 H ,  H01L 25/08 B

Fターム (8件)：

5F073BA04 ,  5F073CA05 ,  5F073CB02 ,  5F073EA28 ,  5F073FA02 ,  5F073FA23 ,  5F073FA27 ,  5F073FA28

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-021277   出願人：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社
• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-113660   出願人：日本電気株式会社
• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-124815   出願人：富士電機株式会社
• 光半導体装置、半導体レーザーユニット、及び光メモリ装置用光ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-075961   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 光半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-199753   出願人：シャープ株式会社