特許

J-GLOBAL ID：200903069446107092

半導体装置及びその製造方法

発明者： ロベルタス アドリアヌス マリア ウォルテルス ,  ポール キャービ ラーセン ,  マシーウ ヨセフ エマニュエル ウレナース
出願人/特許権者： エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-116221
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183106
出願日： 1992年05月08日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】 コンピュータの電子メモリとして動作させるのに適した半導体装置及びその製造方法であって、そのアクセス時間を短かくすることにある。【構成】 下側電極11、酸素含有強誘電体12及び上側電極13を以って構成され、上側電極が強誘電体の縁部を被覆していないコンデンサ2を半導体本体3の表面10上に設け、その後、金属導体細条が重畳された絶縁層14を設けるに当り、上側電極13により被覆されていない強誘電体12を水素を実際上通さない被覆層14, 20又は30により被覆し、その後装置を水素含有雰囲気中で加熱する。

請求項（抜粋）：

下側電極と、酸化物強誘電体と、上側電極とを、上側電極が強誘導体の縁部を被覆しないように順次に設け、その後金属導体細条が重畳されている絶縁層を設けることにより、半導体素子を有する半導体本体の表面上にコンデンサを設ける半導体装置の製造方法において、強誘電体により被覆されていない上側電極の縁部を、水素を実際上通さない被覆層で被覆し、次に半導体装置を水素含有雰囲気中で加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01G 7/06 ,  H01L 21/318

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-232961
  
• 特開平2-184079
  
• 特開平1-265524
  
• 特開平4-102367