特許
J-GLOBAL ID：200903069446224676
電子放出素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-121391
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317146
出願日： 1998年04月30日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：
【要約】【課題】 塗布された導電性薄膜材料をエキシマレーザでパターニング法により除去する場合に、通常のエネルギーよりも低い値で除去できるようにして、現状程度のレーザ出力で一括加工面積を広くすることができる表面伝導型電子放出素子を提供する。【解決手段】 絶縁基板上に少なくとも一対の電極を形成し、電極回りに導電性薄膜を形成し、レーザにより導電性薄膜の不要部を除去して一対の電極間の電子放出膜を形成する表面伝導型電子放出素子において、導電性薄膜と基板の間に、レーザを吸収し易い高吸収薄膜を介在させる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に少なくとも一対の電極を形成し、該電極回りに導電性薄膜を形成し、レーザにより前記導電性薄膜の不要部を除去して前記一対の電極間の電子放出膜を形成する電子放出素子において、前記導電性薄膜と前記基板の間に、前記レーザを吸収し易い高吸収薄膜が介在することを特徴とする電子放出素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 E
, H01J 9/02 E
