半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-170940
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021710
出願日： 1991年07月11日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】 GaAsのような化合物半導体基板1上に形成された下側導電層3上に複数の誘電体層を介して上側導電層5を形成したMIMコンデンサにおいて、最も下側の誘電体層をプラズマCVD法による酸化シリコン膜(SiO)4dとし、最も上側の誘電体層を400°C以下の低温CVD法による酸化シリコン膜(SiO2)4cとした。また、中間誘電体層としてプラズマCVD法による窒化シリコン膜4bを用いるようにした。【効果】小さなチップサイズで容量値が大きくしかも耐圧の高い、高周波ICのバイパスコンデンサに適したMIMコンデンサを製造することができる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上に形成された下側導電層上に複数の誘電体層を介して上側導電層が形成されてなる半導体装置において、上記多層構造の誘電体層のうち最も下側の誘電体層はプラズマCVD法による酸化シリコン膜であり、最も上側の誘電体層は低温CVD法による酸化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。

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