特許

J-GLOBAL ID：200903069456655152

メモリ素子およびメモリ素子の製造方法

発明者： 李 光 熙 ,  周 原 提 ,  林 珍 亨 ,  姜 潤 錫
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (3件)： 磯野 道造 ,  多田 悦夫 ,  柏木 忍
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-073823
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261677
出願日： 2006年03月17日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：

【課題】工程性、再現性および性能の一貫性に優れた、有機/無機複合体多孔性物質を用いた不揮発性ナノチャネルメモリ素子を提供する。【解決手段】メモリ素子は、上部電極10と、下部電極30と、前記上部電極と前記下部電極の間に形成されたメモリ層20と、を含む。前記メモリ層20は、前記上部電極10と前記下部電極30との間にナノチャネル40を形成することが可能な有機/無機複合体多孔性物質からなり、前記ナノチャネル40内に金属ナノ粒子50が注入されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

上部電極と、 下部電極と、 前記上部電極と前記下部電極の間に形成されたメモリ層と、 を含むメモリ素子であって、 前記メモリ層が、前記上部電極と前記下部電極との間にナノチャネルを形成することが可能な有機/無機複合体多孔性物質からなり、前記ナノチャネル内に金属ナノ粒子または金属イオンが注入されていることを特徴とするメモリ素子。

IPC (1件)：

H01L 27/10

FI (1件)：

H01L27/10 451

Fターム (7件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA60 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭62-956882号公報
  
• 米国特許公開第2002-163057号明細書
  
• 米国特許第6,055,180号明細書
  
• 米国特許第2003-166602号明細書