イオンビーム療法において格子スキャナをフィードバック制御するための装置および方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：庄司隆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-611289
公開番号（公開出願番号）：特表2002-540911
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2002年12月03日
要約：

【要約】【課題】補正作業を著しく減少させ、幾何学上の精度をかなり増加させることが可能なイオンビーム療法において格子スキャナをフィードバック制御するための装置および方法を提供すること。【解決手段】本発明は、イオン療法において格子スキャナをフィードバック制御するための装置および方法に関する。格子スキャナをフィードバック制御するためのこの種の装置は、イオンビームの中央に対して水平および垂直方向に偏向するイオンビームスキャナ磁石のためのスキャナ磁石電流供給デバイスを有する。供給デバイスは、スキャナ磁石のための制御および読出しモジュールによって制御される。さらに、装置は、制御および読出しモジュールによって制御される、ロケーション測定のためのロケーションに敏感な検出器を有する。シーケンス制御デバイスは、装置のデバイス中での駆動および読出しシーケンスを制御する。装置はまた、シーケンス制御デバイス内に、スキャナ磁石のための制御および読出しモジュールと、ロケーションに敏感な検出器の制御および読出しモジュールとの間にフィードバックループを有する回路配置を有する。このため、シーケンス制御デバイス内のスキャナ磁石のための制御および読出しモジュール、ならびにロケーションに敏感な検出器の制御および読出しモジュールは、回路およびシーケンスにおいて、スキャナ磁石のための制御および読出しモジュールが、ロケーションに敏感な検出器の制御および読出しモジュールの後に直列に位置するように技術的に配置されている。

請求項（抜粋）：

イオンビーム療法において格子スキャナをフィードバック制御するための装置であって、該装置は、少なくとも、スキャナ磁石のための制御および読出しモジュール(SAMS)によって制御される、イオンビームの中央に対して水平(X)および垂直(Y)方向に偏向するイオンビームスキャナ磁石のためのスキャナ磁石電流供給デバイス(MGN)と、制御および読出しモジュール(SAMO1)によって制御される、ロケーション測定のためのロケーションに敏感な検出器(MWPC1)と、前記装置の前記デバイス中での駆動および読出しシーケンスを制御するシーケンス制御デバイス(VMEAS)とを有し、前記装置は、前記シーケンス制御デバイス(VMEAS)中に、前記スキャナ磁石のための制御および読出しモジュール(SAMS)と、前記ロケーションに敏感な検出器(MWPC1)の前記制御および読出しモジュール(SAMO1)との間にフィードバックループを有する回路配置を有し、回路およびシーケンスにおいて、前記シーケンス制御デバイス(VMEAS)中の前記スキャナ磁石のための制御および読出しモジュール(SAMS)、ならびに前記ロケーションに敏感な検出器(MWPC1)の前記制御および読出しモジュール(SAMO1)は、前記スキャナ磁石のための制御および読出しモジュール(SAMS)が、前記ロケーションに敏感な検出器(MWPC1)の前記制御および読出しモジュール(SAMO1)の後に直列に位置するように技術的に配置されていることを特徴とする装置。

IPC (5件)：

A61N 5/10 , G01T 1/29 , G21K 1/093 , G21K 5/04 , G21K 5/10

FI (8件)：

A61N 5/10 H , A61N 5/10 Q , G01T 1/29 B , G01T 1/29 C , G21K 1/093 S , G21K 5/04 A , G21K 5/04 C , G21K 5/10 M

Fターム (15件)：

2G088EE01 , 2G088EE29 , 2G088FF13 , 2G088FF14 , 2G088GG01 , 2G088GG03 , 2G088JJ01 , 2G088KK32 , 4C082AC04 , 4C082AE01 , 4C082AG12 , 4C082AJ06 , 4C082AJ13 , 4C082AP03 , 4C082AR12

引用特許：

審査官引用 (1件)

特表平4-506566

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