特許
J-GLOBAL ID：200903069463737687
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-315905
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152280
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【目的】プラズマCVD膜のストレスによる、アルミニウムのヒロック及び消失を防止する。【構成】プラズマCVD膜成長時において150°C程度の低温で成膜を開始し、徐々に300°C程度まで昇温させ、下層にストレの小さい膜、上層に緻密な膜を成膜することでアルミニウムのヒロックや消失を防止する。
請求項（抜粋）：
金属配線を形成した半導体チップにプラズマCVD法で絶縁膜を堆積する工程を有する半導体装置の製造方法において、生成温度を所定値から上昇させつつ前記絶縁膜を堆積することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/31
, H01L 21/3205
