半導体装置及び電極形成方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：武顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-316462
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163467
出願日： 1996年11月27日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】半導体ペレットのシリコン基板とその裏面に形成された金属電極との接着性を良好にしかつ、良好な電気的接続特性を得る。【解決手段】半導体装置を形成するペレットのシリコン基板100の裏面に、Al層101、Ti層102、Ni層103、Au層104を順次積層し、かつ、Al層101の厚みを5000Å以上とした裏面電極を設ける。半導体装置は、ペレット内に電子回路を形成し、裏面電極の各層を蒸着等により形成した後、400°C〜450°Cで加熱処理を行って製造される。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の表面に電子回路が形成され、この基板の裏面に裏面電極が形成されて構成される半導体装置において、前記裏面電極が、基板裏面側からアルミニウム層、チタン層、ニッケル層、金層の4層の金属層により形成され、かつ、前記アルミニウム層の厚みが5000Å以上であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/41 , H01L 29/68 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 29/44 B , H01L 29/68 , H01L 29/78 652 L , H01L 29/78 655 A

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭53-121571
特開昭53-121571
特開昭63-313839

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