半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-161242
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078816
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】【目的】簡便かつ短時間の工程で、膜質が均一で平坦なSOG膜を含む層間絶縁膜を有する半導体装置を得ることができる方法の提供。【構成】SOG膜を含む層間絶縁膜を有する半導体装置の製造方法であって、基板上にSOG膜を形成してプリベークする工程と、減圧された反応容器において、該基板を加熱して熱処理するとともに、反応容器内にエッチングガスを供給し、該エッチングガスに高周波を印加して発生するプラズマによってSOG膜のエッチバック処理を同時に行なう工程を含む半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

SOG膜を含む層間絶縁膜を有する半導体装置の製造方法であって、基板上にSOG膜を形成してプリベークする工程と、減圧された反応容器において、該基板を加熱して熱処理するとともに、反応容器内にエッチングガスを供給し、該エッチングガスに高周波を印加して発生するプラズマによってSOG膜のエッチバック処理を同時に行なう工程を含む半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/316 , H01L 21/768

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-255217
特開昭62-274082
特開昭61-164242

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