特許

J-GLOBAL ID：200903069473403272

比誘電率が高い物質として特に使用される多層構造体

発明者： ライオネル・ジラルディ
出願人/特許権者： メムスカップ
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-378528
公開番号（公開出願番号）：特開2003-309118
出願日： 2002年12月26日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：

【要約】【課題】 様々な容量性構造体内において使用可能であり、高い比誘電率の値と共に、高電圧耐性及び低レベルの漏れ電流を有する物質を提供する。【解決手段】 各々が500オングストローム(Å)未満の厚さを有する複数の積層された基本層を含み、前記層の中に二酸化チタン(TiO2)及び五酸化タンタル(Ta2O5)の合金に基づく2つの層が存在し、これらの層が少なくとも二酸化ハフニウム(HfO2)及びアルミナ(Al2O3)に基づく合金の中間層によって隔てられていることを特徴とする多層構造体を構成する。

請求項（抜粋）：

比誘電率が高い物質として特に使用される多層構造体であって、各々が約500オングストローム(Å)未満の厚さを有する複数の積層された基本層を含み、前記層の中に二酸化チタン(TiO2)及び五酸化タンタル(Ta2O5)の合金に基づく2つの層が存在し、これらの層が少なくとも二酸化ハフニウム(HfO2)及びアルミナ(Al2O3)に基づく合金の中間層によって隔てられていることを特徴とする多層構造体。

IPC (8件)：

H01L 21/316 ,  H01G 4/20 ,  H01G 4/33 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/78

FI (6件)：

H01L 21/316 M ,  H01G 4/20 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (36件)：

5E082AB01 ,  5E082BB05 ,  5E082BB07 ,  5E082BC14 ,  5E082FF05 ,  5E082FG06 ,  5E082FG26 ,  5E082GG10 ,  5E082PP03 ,  5E082PP09 ,  5F038AC16 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA01 ,  5F058BD02 ,  5F058BD05 ,  5F058BF17 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BJ04 ,  5F083AD11 ,  5F083AD60 ,  5F083GA06 ,  5F083GA24 ,  5F083JA03 ,  5F083JA06 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR22 ,  5F140AA19 ,  5F140AA24 ,  5F140BD02 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE09