特許

J-GLOBAL ID：200903069476875663

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 中川 博文 ,  友枝 光弘
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-243295
公開番号（公開出願番号）：特開平7-098991
出願日： 1993年09月29日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：

【要約】【目的】 1ライトサイクルで複数の消去ブロックを指定可能にする。【構成】 複数のアドレス信号(A0〜A15)を複数の対応した消去ブロック(B0〜B15)としてラッチできるアドレス信号制御回路15を備えることにより、消去ブロックの複数同時指定可能な不揮発性半導体記憶装置。【効果】 上記の構成をとることにより、複数ブロック消去制御を楽に、かつ速くできる。

請求項（抜粋）：

複数のアドレス信号と複数の消去ブロックとを対応し、前記アドレス信号の選択により対応する前記消去ブロックのアドレスを出力するアドレス信号制御手段を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  G06F 12/06 525