半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-000190
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183155
出願日： 1992年01月06日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】MOSトランジスタを有する半導体装置に関し、短チャネル効果による閾値電圧の変動を抑制することを目的とする。【構成】半導体層1の上にゲート絶縁膜2を介して形成されるゲート電極3と、該ゲート電極3の両脇の前記半導体層1に形成されたソース4、ドレイン5からなるMOSトランジスタを有する半導体装置において、前記ゲート絶縁膜2が、ゲート長の方向に分布する誘電率の異なる複数の誘電体膜2a,2bにより形成されるとともに、ゲート長が短くなるにつれて誘電率の高い該誘電体膜2aの分布の割合が小さく設定されていることを含み構成する。

請求項（抜粋）：

半導体層(1)の上にゲート絶縁膜(2)を介して形成されるゲート電極(3)と、該ゲート電極(3)の両脇の前記半導体層(1)に形成されたソース(4)、ドレイン(5)からなるMOSトランジスタを有する半導体装置において、前記ゲート絶縁膜(2)が、ゲート長の方向に分布する誘電率の異なる複数の誘電体膜(2a,2b)により形成されるとともに、ゲート長が短くなるにつれて誘電率の高い該誘電体膜(2a)の分布の割合が小さく設定されていることを特徴とする半導体装置。

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