ヒューズ装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-029798
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233722
出願日： 1998年02月12日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】デバイスの占有面積の拡大を防ぎながら、レーザー光を照射したときの溶断したヒューズ素子と半導体基板との接触を防ぐ。【解決手段】ヒューズ8にレーザー光を照射するためにカバー膜12に設けられる開口部13の下部のP型半導体領域2に、深いNウェル3-1を形成する。そしてこのNウェル3-1とバイアス配線11とを接続するために、浅いNウェル3-2を形成する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の表面部の素子形成領域に設けられた第1の深さをもつ第2導電型の第1のウェルと、前記第1のウェル上に設けられたヒューズ素子と、前記ヒューズ素子上に設けられたカバー膜と、前記カバー膜の前記ヒューズ素子にレーザー光を照射する部分に設けられた開口部とを有するヒューズ装置において、前記第1のウェルの底部の少なくとも前記開口部を含む領域に設けられた、前記第1の深さより深い第2の深さをもちかつ底部が前記第1のウェルよりも小さい前記第2導電型の第2のウェルを有することを特徴とするヒューズ装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01H 85/046

FI (2件)：

H01L 27/04 F , H01H 85/00 T

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